没有量产。

长江存储2016年成立，现在已成功量产128层NAND闪存芯片，最快可能在今年底量产232层NAND闪存芯片。

X-tacking技术是长存的专有技术，它的成功应用还不可比拟，但也可以略作想象。在确定技术路线可行后，庞大的国家机器开始启动，以挟泰山以超北海之势开启了半导体领域唯一以国家冠名的“国家存储器基地”的建设——长江存储。

而长存的产品进展也一直快于外界的预期，从武汉新芯的9层试验成功，到32层第一次面试，到64层的5万片满产，到128层的成功量产，到192层的研发成功，再到现在挑战232层。距离2016年7月长存设立，也不过区区不到6年的时间而已。