磁阻效应与霍尔效应内部联系是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。

同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。

在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。

这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。