相比现行的台积电16nm技术，若利用更先进的10nm技术来制造同一A10X芯片，芯片面积无疑显著减小。

最新10nm工艺技术，将允许芯片设计方在同一面积的芯片内塞进更多的晶体管数量，确切地说是一个既定的区域塞进约原先两倍的晶体管数量。

更重要的是，台积电还提供了与16nmFinFET+工艺对比的两个数字指标，第一是在功耗不变的情况下性能提升18%，第二则是在性能不变的情况下功耗可以降低近40%。