MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。

一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管。